日本の半導体産業集積地とは
半導体製造では設計・材料・前工程・後工程の各段階が高度に専門化しており、企業が地理的に集積することでサプライチェーンの効率化が図られています。日本は材料・製造装置で世界的な競争力を持ちながら、2000年代以降はファブ（前工程製造）の国際競争力が低下しました。2021年以降の経済安全保障政策を契機に、TSMCの熊本誘致・ラピダス設立など国内製造能力の再建が進んでいます[1]。
基本データ
国内半導体生産額
約6.5兆
円（2025年度見込み・政府目標2030年15兆円）
主要産業集積地
6
地域（九州・東北・三重・広島・関東・北海道）
TSMC熊本第1工場
月産5.5万
枚（300mm・2024年12月量産開始）
ラピダス（北海道千歳）
2027
年量産目標（2025年試作ライン稼働・EUV調整中）
主要集積地一覧
| 集積地 | 所在地 | 主な産業 | 詳細 |
|---|---|---|---|
| 九州半導体クラスター | 熊本・大分・長崎 | ロジック・CMOSイメージセンサー（TSMC・ソニー・ルネサス） | 詳細 → |
| 東北（岩手・北上） | 岩手県北上市 | NANDフラッシュメモリ（キオクシア北上工場）。※宮城PSMC計画は2024年末に提携解消で中止 | 準備中 |
| 三重・四日市 | 三重県四日市市 | NANDフラッシュメモリ（キオクシア・ウェスタンデジタル） | 準備中 |
| 広島（東広島） | 広島県東広島市 | DRAM・HBM（マイクロンメモリジャパン）。生成AI需要で高帯域幅メモリ（HBM）の最先端拠点 | 準備中 |
| 北海道千歳 | 北海道千歳市 | 最先端ロジック2nm（ラピダス）。2025年にIIM-1試作ライン稼働、2027年量産目標 | 準備中 |
パワー半導体
上記のロジック・メモリ集積地に加え、日本はパワー半導体でも世界的な競争力を維持しています。EV・再エネ向けの需要拡大により重要性が増しています。
| 企業 | 主要拠点 | 製品 |
|---|---|---|
| ローム | 宮崎・福岡 | SiCパワーデバイス（EV向けインバーター） |
| 三菱電機 | 福岡（パワーデバイス製作所） | IGBTモジュール（鉄道・産業機器） |
| 富士電機 | 長野・北陸 | パワーモジュール（再エネ・産業向け） |
| 東芝 | 石川（加賀） | パワーMOSFET・SiCデバイス |
半導体サプライチェーンの概要
graph LR
A["シリコン原料"]-->B["シリコンウェーハ\n信越化学・SUMCO"]
B-->C["前工程\n露光・成膜・エッチング"]
C-->D["後工程\n封止・パッケージ"]
D-->E["最終製品\nスマートフォン・車載・AI"]
F["フォトレジスト\nJSR・信越・東京応化"]-->C
G["製造装置\n東京エレクトロン・キヤノン"]-->C
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参考文献・出典
- [1] 半導体・デジタル産業戦略の今後の方向性 PDF